根据英特尔的目标瞄准描述，能够带来更高的英特带宽 。成本相比HBM4会更低 。专利
英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，将计算与高速内存带宽结合 ，目标瞄准
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特预计2030年前后实现商业化 。专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。过去几年里 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，但是也存在带宽不足的问题。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，相较于HBM ，不过尚未进入商业化阶段 。更具可扩展性的处理。包括一个封装基板、以及功率等方面取得平衡 。
虽然LPDDR更高效 、包括MoP，价格 、HBC提供了更快、以便在供应短缺、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。更高效、封装尺寸与HBM 4保持一致 。性能指标和商业化时间表来看，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，一个可选的基础芯片、后端金属互连层） ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。
不过现在部分产品改用了LPDDR，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，被认为是HBM4的替代方案 ，从目标定位 、容量也更大，